全球正處于能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)刻，為應(yīng)對(duì)氣候變遷、減少環(huán)境污染，尋找潔凈、可再生的能源已成為刻不容緩的任務(wù)。傳統(tǒng)化石燃料的使用不僅帶來(lái)嚴(yán)重的環(huán)境問(wèn)題，其資源的有限性也促使我們必須開發(fā)永續(xù)的替代方案。在此背景下，氫能以其高能量密度、燃燒產(chǎn)物僅為水、可儲(chǔ)存、可運(yùn)輸?shù)葍?yōu)勢(shì)，被視為21世紀(jì)具潛力的清潔能源載體。然而，目前全球95%以上的氫氣來(lái)自化石燃料重組，其生產(chǎn)過(guò)程仍伴隨著大量的碳排放。因此，利用可再生能源制備的「綠色氫能」才是實(shí)現(xiàn)能源永續(xù)發(fā)展的理想途徑。
在眾多綠色制氫技術(shù)中，利用取之不盡、用之不竭的太陽(yáng)能直接分解水（H?O）產(chǎn)生氫氣（H?）和氧氣（O?），無(wú)疑是具吸引力的解決方案之一。太陽(yáng)能水分解技術(shù)，主要包括光催化（Photocatalysis, PC）和光電化學(xué)（Photoelectrochemical, PEC），其核心優(yōu)勢(shì)在于直接將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能儲(chǔ)存在氫分子中，原料僅為陽(yáng)光和水，過(guò)程潔凈無(wú)污染。
相較于「太陽(yáng)能光伏發(fā)電+電解水」（PV-EC）的兩步法，PEC技術(shù)將光吸收和電化學(xué)催化整合在單一器件中，理論上具有更簡(jiǎn)潔的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、更低的能量損耗以及更有效地利用太陽(yáng)光中的熱能等潛在優(yōu)勢(shì)。特別是PEC系統(tǒng)，其陽(yáng)極和陰極（或光陽(yáng)極和光陰極）在空間上的分離，使得產(chǎn)生的氫氣和氧氣能夠自動(dòng)分開收集，避免了混合爆炸的風(fēng)險(xiǎn)以及逆反應(yīng)的發(fā)生，這是某些分布式光催化系統(tǒng)面臨的難題。
PEC水分解的概念最早由Fujishima和Honda在1972年提出并驗(yàn)證，至今已有半個(gè)世紀(jì)的研究歷史。盡管科學(xué)家們?cè)诓牧祥_發(fā)和效率提升方面取得了顯著進(jìn)展，例如使用III-V族半導(dǎo)體在實(shí)驗(yàn)室條件下實(shí)現(xiàn)了接近20%的太陽(yáng)能到氫能（Solar-to-Hydrogen, STH）轉(zhuǎn)換效率，但該技術(shù)距離大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用仍面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。材料的穩(wěn)定性、量子效率、生產(chǎn)成本以及器件的放大制備等問(wèn)題，都是阻礙其發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。PEC技術(shù)的雙重承諾——既能產(chǎn)生能源，又能以化學(xué)形式儲(chǔ)存能源——使其在應(yīng)對(duì)可再生能源間歇性方面具有特別的價(jià)值。然而，漫長(zhǎng)的發(fā)展歷程和至今未能克服的障礙恰恰說(shuō)明了此技術(shù)的復(fù)雜性，亟需在基礎(chǔ)材料科學(xué)和精準(zhǔn)量測(cè)技術(shù)上取得突破。
圖片來(lái)源：Opportunities and Challenges of Industrialization of Hydrogen－The Photocatalyst effect (Fujishima et al., 1972)
光電化學(xué)（PEC）水分解的核心是利用半導(dǎo)體材料吸收太陽(yáng)光能，并利用光生電荷載流子驅(qū)動(dòng)水的氧化還原反應(yīng)，最終生成氫氣和氧氣。
一個(gè)典型的PEC電池主要由以下幾個(gè)部分構(gòu)成：至少一個(gè)半導(dǎo)體光電極（光陽(yáng)極或光陰極，或兩者皆有）、一個(gè)對(duì)電極（通常是惰性導(dǎo)體或另一個(gè)光電極）、傳導(dǎo)離子的電解質(zhì)溶液，以及用于分隔產(chǎn)物氣體的隔膜（可選）。
其工作過(guò)程大致可分為以下三個(gè)關(guān)鍵步驟：
當(dāng)能量大于或等于半導(dǎo)體材料能隙（Band Gap, Eg）的光子照射到光電極表面時(shí)，會(huì)被材料吸收。為了有效利用太陽(yáng)光譜，理想的半導(dǎo)體材料應(yīng)具有合適的能隙值。從熱力學(xué)角度看，分解水所需的最小能量為1.23 eV，對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)約為1008 nm。然而，考慮到反應(yīng)動(dòng)力學(xué)中的過(guò)電位（Overpotential）損耗，實(shí)際有效分解水通常需要約1.7-2.0 V的電壓，這意味著單一半導(dǎo)體材料的能隙需要大于此值才能在無(wú)外加偏壓下工作，但過(guò)大的能隙會(huì)導(dǎo)致對(duì)太陽(yáng)光譜的可見光部分利用不足。
光子吸收后，半導(dǎo)體價(jià)帶（Valence Band, VB）中的電子（e?）被激發(fā)躍遷至導(dǎo)帶（Conduction Band, CB），同時(shí)在價(jià)帶留下一個(gè)帶正電的空穴（h?），形成電子-空穴對(duì)。為了使這些光生載流子能夠驅(qū)動(dòng)水分解反應(yīng)，它們必須有效分離并傳輸?shù)礁髯缘姆磻?yīng)位點(diǎn)，避免發(fā)生復(fù)合。這主要依賴于半導(dǎo)體與電解質(zhì)接觸界面處形成的空間電荷層（Space Charge Layer）所產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)。對(duì)于n型半導(dǎo)體光陽(yáng)極，界面處能帶向上彎曲，內(nèi)建電場(chǎng)將空穴驅(qū)向半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面，將電子驅(qū)向體相及外電路。對(duì)于p型半導(dǎo)體光陰極，情況則相反。
分離后的電荷載流子到達(dá)電極表面后，參與水的氧化和還原反應(yīng)：
在光陽(yáng)極(Photoanode)表面：光生空穴具有強(qiáng)氧化性，將水分子氧化生成氧氣和質(zhì)子（酸性介質(zhì)）或氫氧根離子（堿性介質(zhì)）。典型的反應(yīng)式為（以酸性介質(zhì)為例）：2H2O + 4h+ → O2 + 4H+ 這是析氧反應(yīng)（Oxygen Evolution Reaction, OER）。
在光陰極(Photocathode)或?qū)﹄姌O(Counter Electrode)表面：從外電路傳導(dǎo)過(guò)來(lái)的電子具有還原性，將水中的質(zhì)子（酸性介質(zhì)）或水分子（中性/堿性介質(zhì)）還原生成氫氣。典型的反應(yīng)式為（以酸性介質(zhì)為例）：2H+ + 2e? → H2 這是析氫反應(yīng)（Hydrogen Evolution Reaction, HER）。
圖片來(lái)源：Perovskite Oxide-Based Electrodes for High-Performance Photoelectrochemical Water Splitting－PEC水分解原理
為了使整個(gè)水分解反應(yīng)能夠自發(fā)進(jìn)行（即無(wú)需外加電壓偏置），半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)必須滿足特定的熱力學(xué)要求：其導(dǎo)帶底的電位必須比HER的還原電位（E(H+/H2)）更負(fù)，同時(shí)其價(jià)帶頂?shù)碾娢槐仨毐萇ER的氧化電位（E(O2/H2O)）更正。
換句話說(shuō)，半導(dǎo)體的能帶邊緣必須「跨過(guò)」水的氧化還原電位。然而，僅滿足熱力學(xué)條件是不夠的。實(shí)際反應(yīng)中，HER和OER都需要克服一定的活化能，即過(guò)電位，這使得實(shí)際所需電壓高于1.23V。為了降低過(guò)電位、提高反應(yīng)速率，通常需要在光電極表面負(fù)載助催化劑（Co-catalysts），例如貴金屬（Pt用于HER）或過(guò)渡金屬氧化物/硫化物（用于OER或HER）。
PEC技術(shù)的效率從根本上受限于光生載流子的產(chǎn)生、分離、傳輸和表面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)之間復(fù)雜的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。光生電子-空穴對(duì)在到達(dá)反應(yīng)位點(diǎn)之前，極易通過(guò)直接復(fù)合或通過(guò)材料缺陷/表面態(tài)輔助復(fù)合而損失掉，釋放能量為熱或光。不幸的是，載流子復(fù)合通常發(fā)生在納秒（10?9s）甚至皮秒（10?12s）的時(shí)間尺度上，而表面電化學(xué)反應(yīng)的速率則慢得多，往往在毫秒（10?3s）或更長(zhǎng)的時(shí)間尺度。這種時(shí)間尺度上的巨大差異意味著大部分光生載流子在有機(jī)會(huì)參與反應(yīng)之前就已經(jīng)復(fù)合消失了。因此，提高PEC效率的核心策略之一就是通過(guò)材料設(shè)計(jì)（如納米結(jié)構(gòu)化、構(gòu)建異質(zhì)結(jié)）和負(fù)載高效助催化劑來(lái)加速電荷的分離、傳輸和表面反應(yīng)速率，同時(shí)抑制復(fù)合過(guò)程。
此外，材料選擇本身也存在內(nèi)在的矛盾。理想的太陽(yáng)能吸收材料其能隙應(yīng)在1.34 eV附近以有效利用太陽(yáng)光譜，但如前所述，實(shí)際水分解需要約1.7-2.0 V的電壓，且要求能帶位置匹配。通常，具有較小能隙、吸光能力強(qiáng)的材料（如Si）往往能帶位置不匹配或在電解液中不穩(wěn)定；而能帶位置合適且較穩(wěn)定的材料（如一些寬能隙氧化物TiO?, WO?）則對(duì)太陽(yáng)光的利用率不高。這種能隙、能帶位置和穩(wěn)定性之間的固有權(quán)衡，迫使研究人員探索更復(fù)雜的解決方案，例如將兩種或多種不同能隙的半導(dǎo)體堆疊起來(lái)構(gòu)成疊層（Tandem）器件，以更寬的光譜范圍吸收太陽(yáng)光并提供足夠高的電壓，或者施加一定的外部偏壓來(lái)輔助反應(yīng)進(jìn)行，但這些策略無(wú)疑增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。
| 特征 | 光電化學(xué)(PEC)水分解 | 光催化(PC)水分解 |
|---|---|---|
| 基本原理 | 光吸收與電化學(xué)反應(yīng)在電極/電解質(zhì)界面進(jìn)行，通常需要外電路連接 | 半導(dǎo)體顆粒懸浮或固定在基底上，光吸收與催化反應(yīng)在同一顆粒表面進(jìn)行 |
| 系統(tǒng)構(gòu)成 | 光電極、對(duì)電極、電解質(zhì)、(隔膜) | 光催化劑粉末/薄膜、水 |
| 電荷傳輸 | 光生電荷通過(guò)體相和外電路傳輸至反應(yīng)位點(diǎn) | 光生電荷在催化劑顆粒內(nèi)部及表面?zhèn)鬏?/td> |
| 氣體分離 | H?和O?分別在不同電極產(chǎn)生，易于分離 | H?和O?在同一催化劑表面產(chǎn)生，易混合，分離困難且有爆炸風(fēng)險(xiǎn) |
| 效率表征 | STH效率、光電流密度(J-V)、量子效率(EQE/IPCE) | 產(chǎn)氫/產(chǎn)氧速率、量子產(chǎn)率(QY)/表觀量子效率(AQE) |
| 主要挑戰(zhàn) | 電極穩(wěn)定性，效率，放大制備 | 氣體分離，量子效率低，催化劑回收/穩(wěn)定性 |
| 典型材料 | III-V族，Si，F(xiàn)e?O?，BiVO?，WO?，Cu?O等 | TiO?，CdS，g-C?N?，金屬硫化物/氧化物等 |
盡管PEC水分解技術(shù)潛力巨大，但其商業(yè)化之路仍面臨效率、穩(wěn)定性和規(guī)?；杀具@三大核心挑戰(zhàn)。要有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，精準(zhǔn)可靠的性能量測(cè)，特別是IV曲線和量子效率(QE/IPCE)分析，扮演著重要的角色。
太陽(yáng)能到氫能轉(zhuǎn)換效率(STH)是最終目標(biāo)，但目前距離商業(yè)化目標(biāo)仍有差距，尤其對(duì)于低成本材料體系，低量子效率(QE/IPCE)是限制STH的主要瓶頸之一，主要源于光生載流子的快速?gòu)?fù)合以及部分材料對(duì)太陽(yáng)光譜利用不充分。
因此，精確測(cè)量EQE/IPCE光譜對(duì)于量化這些光子到電子的轉(zhuǎn)換損失、識(shí)別限制效率的波長(zhǎng)范圍、評(píng)估材料本征光電轉(zhuǎn)換能力是重要表征技術(shù)。只有通過(guò)準(zhǔn)確的QE分析，才能客觀評(píng)價(jià)各種效率提升策略（如納米結(jié)構(gòu)、疊層器件、助催化劑等）的真實(shí)效果，并指導(dǎo)進(jìn)一步的材料與器件優(yōu)化。
圖片來(lái)源：A comprehensive machine learning strategy for designing high-performance photoanode catalysts-Figure 1
光電極在苛刻的電解液環(huán)境和光照條件下易發(fā)生腐蝕，導(dǎo)致性能衰減，長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行（數(shù)千小時(shí)）是巨大挑戰(zhàn)。要評(píng)估材料的真實(shí)穩(wěn)定性，必須依賴長(zhǎng)期、連續(xù)的性能監(jiān)測(cè)，其中，通過(guò)IV曲線周期性地獲取光電流密度、起始電位等關(guān)鍵參數(shù)的變化趨勢(shì)，是量化性能衰減速率、判斷失效機(jī)制、評(píng)估保護(hù)層或新型穩(wěn)定材料有效性的核心手段。精準(zhǔn)的IV量測(cè)數(shù)據(jù)是區(qū)分真實(shí)穩(wěn)定性提升與實(shí)驗(yàn)偶然性的關(guān)鍵依據(jù)。同時(shí)，效率與穩(wěn)定性之間往往存在權(quán)衡，可靠的IV和QE數(shù)據(jù)有助于研究者在尋求最佳平衡點(diǎn)時(shí)做出明智決策。
圖片來(lái)源：Achieving 12.0% Solar-to-Hydrogen Efficiency with a Trimetallic-Layer-Protected and Catalyzed Silicon Photoanode Coupled with an Inexpensive Silicon Solar Cell－Fig. S8.
將實(shí)驗(yàn)室成果放大到工業(yè)規(guī)模面臨諸多工程挑戰(zhàn)，如大面積制備的均勻性、基底電阻、反應(yīng)器設(shè)計(jì)以及高成本材料的使用等。在此過(guò)程中，對(duì)大面積樣品或模塊進(jìn)行準(zhǔn)確的IV和QE表征，是驗(yàn)證放大工藝可行性、評(píng)估性能均勻性、比較不同規(guī)?；呗詢?yōu)劣的基礎(chǔ)。缺乏標(biāo)準(zhǔn)化、可信賴的大面積量測(cè)技術(shù)，將嚴(yán)重阻礙從實(shí)驗(yàn)室到工廠的轉(zhuǎn)化。解決「重材料、輕工程」的脫節(jié)問(wèn)題，亟需將精準(zhǔn)量測(cè)貫穿于從材料開發(fā)到系統(tǒng)集成的整個(gè)鏈條，確保實(shí)驗(yàn)室的優(yōu)化能夠有效轉(zhuǎn)化為實(shí)際應(yīng)用中的性能提升。
應(yīng)對(duì)PEC水分解的效率、穩(wěn)定性和規(guī)?；魬?zhàn)，離不開精準(zhǔn)量測(cè)提供的「眼睛」和「標(biāo)尺」。準(zhǔn)確的IV和QE數(shù)據(jù)不僅是評(píng)價(jià)當(dāng)前性能的指針，更是指引未來(lái)研究方向、驗(yàn)證改進(jìn)效果、推動(dòng)技術(shù)最終走向?qū)嵱玫年P(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。
在PEC水分解的研究中，準(zhǔn)確、可靠且標(biāo)準(zhǔn)化的性能表征是評(píng)估材料潛力、指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)方向、比較不同研究成果以及推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的基石。缺乏統(tǒng)一的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和方法，會(huì)導(dǎo)致不同實(shí)驗(yàn)室或不同研究人員測(cè)得的結(jié)果難以比較，甚至相互矛盾，嚴(yán)重阻礙了該領(lǐng)域的健康發(fā)展。在眾多表征手段中，電流-電壓（IV）特性曲線和量子效率（QE）/入射光子-電子轉(zhuǎn)換效率（IPCE）譜是最基本也是最重要的兩種電化學(xué)和光電性能量測(cè)方法。
IV曲線描述了在外加電壓變化時(shí)，流過(guò)PEC電池或光電極的電流響應(yīng)。
通常在三電極體系中進(jìn)行，包括待測(cè)的工作電極（WE，即光電極樣品）、對(duì)電極（CE，通常為鉑絲或石墨）和參考電極（REF，如Ag/AgCl或SCE），通過(guò)恒電位儀控制電壓并記錄電流。量測(cè)需在精確控制的光照條件下（通常使用經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的太陽(yáng)光模擬器模擬AM1.5G光譜）和黑暗條件下分別進(jìn)行。對(duì)于評(píng)估完整器件的STH效率，則采用兩電極體系（光電極與對(duì)電極直接連接）進(jìn)行量測(cè)。
從IV曲線中可以提取一系列關(guān)鍵性能參數(shù)：
光電流密度(Photocurrent Density, Jph)：光照下的電流密度與暗電流密度之差，直接反映了光電極的光電活性。
起始電位(Onset Potential)：光電流開始出現(xiàn)的電位，與水分解反應(yīng)的熱力學(xué)勢(shì)壘和動(dòng)力學(xué)過(guò)電位相關(guān)。
開路電壓(Open-Circuit Voltage, Voc)/光電壓(Photovoltage)：零電流條件下的電壓，反映了光照下半導(dǎo)體能帶彎曲的程度和器件能產(chǎn)生的最大電壓（主要用于PV-PEC或疊層器件）。
短路電流密度(Short-Circuit Current Density, Jsc)：外加偏壓為零時(shí)的電流密度，是計(jì)算STH效率的重要參數(shù)（兩電極體系）。
填充因子(Fill Factor, FF)：FF=(Jmax×Vmax)/(Jsc×Voc)，描述IV曲線的「方度」，反映了器件內(nèi)部串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻以及復(fù)合損失的大小。FF越高，器件質(zhì)量越好。
能量轉(zhuǎn)換效率(PCE/STH)：對(duì)于兩電極體系，STH效率可由最大功率點(diǎn)(Pmax=Jmax×Vmax)除以入射光功率(Pin)計(jì)算得到：STH=(Jsc×Voc×FF)/Pin（此處Voc指兩電極體系開路電壓，且需考慮產(chǎn)氫的法拉第效率）。
IV曲線是評(píng)估光電極或PEC器件整體性能的基礎(chǔ)。它不僅提供了效率、光響應(yīng)活性等宏觀信息，還能揭示器件的工作特性、內(nèi)阻、復(fù)合損耗等內(nèi)部機(jī)制，為材料優(yōu)化和器件設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵依據(jù)。
圖片來(lái)源：Activating a Semiconductor–Liquid Junction via Laser-Derived Dual Interfacial Layers for Boosted Photoelectrochemical Water Splitting－Fig 3a
QE或IPCE量測(cè)的是在某一特定波長(zhǎng)下，器件將入射光子轉(zhuǎn)換為外部電路中收集到的電子的效率。
外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE或IPCE)：定義為收集到的電子數(shù)與入射到器件表面的光子數(shù)之比：EQE(λ)=收集到的電子數(shù)/入射的光子數(shù)×100%。EQE考慮了所有光學(xué)損失（如反射、透射、非活性層吸收）。
內(nèi)部量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE)：定義為收集到的電子數(shù)與被器件活性層吸收的光子數(shù)之比。IQE排除了光學(xué)損失，更能反映材料本身的光電轉(zhuǎn)換能力和電荷收集效率。通常EQE=IQE×(1?R)，其中R是反射率。
基本裝置包括：寬譜光源（通常為氙燈或鹵素?zé)簦?、單色儀（用于選擇特定波長(zhǎng)的單色光）、斬波器（用于調(diào)制光信號(hào)以配合鎖相放大器檢測(cè)）、濾光片（用于去除雜散光和高階衍射光）、PEC測(cè)試池、以及用于精確測(cè)量入射單色光光子通量的已校準(zhǔn)光電探測(cè)器（如硅或InGaAs探測(cè)器）。通過(guò)掃描單色儀的波長(zhǎng)，并利用鎖相放大器等高靈敏度電流檢測(cè)技術(shù)記錄對(duì)應(yīng)的光電流，即可得到EQE隨波長(zhǎng)變化的光譜。
光譜響應(yīng)范圍：確定材料能夠有效利用的太陽(yáng)光波長(zhǎng)區(qū)間。
波長(zhǎng)依賴效率：揭示器件在不同波長(zhǎng)下的光電轉(zhuǎn)換性能，找出性能瓶頸所在的波段。
能隙估算：可以從EQE光譜的吸收邊緣（即EQE開始顯著下降的位置）估算材料的光學(xué)能隙。
損失機(jī)制分析：通過(guò)測(cè)量反射率并計(jì)算IQE，可以區(qū)分光學(xué)損失（反射）和內(nèi)部電學(xué)損失（復(fù)合、電荷收集效率低）對(duì)總效率的貢獻(xiàn)。
Jsc計(jì)算與驗(yàn)證：將測(cè)得的EQE光譜與標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光譜與標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光譜（如AM1.5G）進(jìn)行積分，可以計(jì)算出理論上的短路電流密度Jsc(EQE)。將此值與IV量測(cè)得到的Jsc(SS)進(jìn)行比較，是驗(yàn)證量測(cè)準(zhǔn)確性和器件性能一致性的重要手段。
EQE/IPCE量測(cè)深入揭示了光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中的基本物理環(huán)節(jié)，包括光吸收、電荷產(chǎn)生、分離、傳輸和收集效率與波長(zhǎng)的關(guān)系。這些微觀層面的信息對(duì)于理解材料的光電特性、診斷性能限制因素、指導(dǎo)材料改性和器件結(jié)構(gòu)等等重要參考。
| 指標(biāo)(Metric) | 定義/公式(Definition/Formula) | 常用單位(Unit) | 重要性(Importance) |
|---|---|---|---|
| 太陽(yáng)能到氫能轉(zhuǎn)換效率(STH Efficiency) | ηSTH = (Jsc × Vbias=0 × FF × ηFaradaic) / Pin (簡(jiǎn)化式，實(shí)際計(jì)算更復(fù)雜) | % | 衡量PEC器件整體性能的最終指針 |
| 光電流密度(Jph) | Jlight?Jdark | mA/cm2 | 反映光電極的光響應(yīng)活性 |
| 起始電位(Onset Potential) | 光電流開始產(chǎn)生的電位 | V vs. RHE/NHE | 反映水分解反應(yīng)的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)難易程度 |
| 外部量子效率(EQE/IPCE) | 收集的電子數(shù)/入射的光子數(shù)×100% | % | 衡量器件在特定波長(zhǎng)下將光子轉(zhuǎn)化為電子的效率 |
| 能隙(Eg) | 半導(dǎo)體導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂?shù)哪芰坎?/td> | eV | 決定材料的光吸收范圍和產(chǎn)生的光電壓 |
| 穩(wěn)定性(Stability) | 在特定條件下維持性能的時(shí)間 | 小時(shí)(h) | 決定器件的實(shí)際應(yīng)用壽命和可行性 |
在實(shí)際研究中，經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)通過(guò)EQE積分計(jì)算得到的Jsc(EQE)與在太陽(yáng)光模擬器下直接測(cè)量的Jsc(SS)存在差異。
理想情況下兩者應(yīng)相等，但實(shí)驗(yàn)中的多種因素都可能導(dǎo)致偏差。例如，太陽(yáng)光模擬器的光譜與標(biāo)準(zhǔn)AM1.5G光譜的失配（即使是Class A也允許±25%的偏差）、光源的時(shí)間不穩(wěn)定性或空間不均勻性、樣品對(duì)光強(qiáng)度的非線性響應(yīng)、PEC體系中較慢的電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)（導(dǎo)致穩(wěn)態(tài)電流測(cè)量不準(zhǔn)確）、以及樣品在量測(cè)過(guò)程中的降解等。仔細(xì)分析這種失配的大小和原因，對(duì)于驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性、診斷儀器問(wèn)題或揭示樣品本身的特性至關(guān)重要。通常認(rèn)為，小于5%的失配表明量測(cè)系統(tǒng)和操作較為規(guī)范可靠。
相較于固態(tài)光伏（PV）器件，PEC體系的量測(cè)環(huán)境本身就更為復(fù)雜。樣品浸泡在液態(tài)電解質(zhì)中，面臨著腐蝕性環(huán)境、溶液電阻、反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的氣泡可能遮擋光線或覆蓋電極活性位點(diǎn)等問(wèn)題。此外，離子擴(kuò)散和界面處pH梯度的形成也可能隨時(shí)間影響電極電位和反應(yīng)動(dòng)力學(xué)。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面的電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程可能較慢，對(duì)量測(cè)的時(shí)間尺度提出特殊要求。這些因素都給準(zhǔn)確、可重復(fù)地獲取IV和QE數(shù)據(jù)帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)，遠(yuǎn)超常規(guī)PV測(cè)試，因此需要更為專業(yè)化的實(shí)驗(yàn)裝置和更為嚴(yán)謹(jǐn)?shù)牟僮饕?guī)程。
相較于傳統(tǒng)光伏器件，PEC水制氫系統(tǒng)在液相電解質(zhì)中運(yùn)行，這導(dǎo)致了幾個(gè)特殊的測(cè)量挑戰(zhàn)：
光路折射與散射問(wèn)題：入射光通過(guò)氣-液界面時(shí)會(huì)發(fā)生折射，同時(shí)電解質(zhì)溶液可能引起光散射，這些效應(yīng)會(huì)改變實(shí)際到達(dá)光電極表面的光強(qiáng)分布與光譜特性。根據(jù)Fresnel方程，在水/空氣界面，約有2%的光通量會(huì)因反射而損失，并且當(dāng)入射角增大時(shí)，這一損失會(huì)顯著增加。
溶液中的光強(qiáng)衰減：電解質(zhì)溶液對(duì)特定波長(zhǎng)的光存在吸收，特別是在紫外區(qū)域，這可能導(dǎo)致光強(qiáng)的非線性衰減。例如，1cm厚的水層會(huì)吸收約40%的300nm紫外光，而對(duì)800nm的紅外光幾乎沒(méi)有吸收。
電極/電解質(zhì)界面動(dòng)態(tài)變化：在測(cè)量過(guò)程中，界面處可能發(fā)生氣泡生成、局部pH變化、表面吸附/脫附等現(xiàn)象，這些都會(huì)導(dǎo)致光電流的時(shí)間依賴性波動(dòng)。
參比電極與工作電極的空間分離：在三電極體系中，參比電極與工作電極間的距離會(huì)導(dǎo)致非補(bǔ)償電阻(uncompensated resistance)，特別是在低導(dǎo)電性電解質(zhì)中，這可能顯著影響電壓測(cè)量的準(zhǔn)確性。
傳統(tǒng)光伏測(cè)量設(shè)備通常設(shè)計(jì)為垂直向下照射平放樣品，然而PEC水制氫研究中：
電極垂直浸入要求：為了使氣泡自由脫離電極表面并維持穩(wěn)定的液-固界面，PEC電極通常需要垂直浸入電解質(zhì)溶液中，這要求光源能夠提供水平方向的照射。
照射均勻性挑戰(zhàn)：對(duì)于垂直放置的樣品，確保整個(gè)電極表面接收均勻光照變得更加困難，尤其對(duì)于大面積電極。
電極背面照射需求：某些研究設(shè)計(jì)如p-n光電極或具有透明導(dǎo)電背接觸的結(jié)構(gòu)，可能需要從電極背面進(jìn)行照射，這進(jìn)一步增加了光路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。
電極位置敏感性：由于光強(qiáng)隨電解質(zhì)深度的衰減，微小的電極位置變化可能導(dǎo)致實(shí)際接收光強(qiáng)的顯著變化，影響測(cè)量重復(fù)性。
太陽(yáng)光模擬器是光伏研究的基石，其重要性無(wú)需贅述。然而，當(dāng)我們將目光轉(zhuǎn)向太陽(yáng)能水制氫，尤其是PEC光電極或集成式PV-E微反應(yīng)器的測(cè)試時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)為固態(tài)太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與設(shè)備配置，已難以滿足我們的需求。
PEC實(shí)驗(yàn)面臨的更大挑戰(zhàn)在于樣品的放置方式。如前所述，為了讓反應(yīng)產(chǎn)生的氣泡（H?和O?）順利脫離電極表面，避免遮擋活性位點(diǎn)影響反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行，實(shí)驗(yàn)中常將光電極樣品垂直放置在充滿電解液的反應(yīng)池中。這就要求太陽(yáng)光模擬器的光束必須能夠從側(cè)面（水平方向）照射到樣品上。但市面上絕大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器都是向下出光設(shè)計(jì)，無(wú)法滿足這一需求。尋找一款既能滿足IEC60904-9 A+級(jí)光譜匹配度和A+級(jí)時(shí)間穩(wěn)定性，又能提供穩(wěn)定、校準(zhǔn)的側(cè)向出光功能的太陽(yáng)光模擬器，一直是困擾PEC研究人員的一大難題，與標(biāo)準(zhǔn)PV測(cè)試中樣品水平放置、光源垂直照射（Top-down）的模式截然不同，PEC/PV-E實(shí)驗(yàn)的核心場(chǎng)景是：將光電極或集成器件垂直或傾斜浸沒(méi)于特定的電解液反應(yīng)池中。這個(gè)反應(yīng)池不僅包含電解質(zhì)，還需容納對(duì)電極（Counter Electrode）、參比電極（Reference Electrode），并預(yù)留氣體逸出信道和光學(xué)窗口。這就意味著，傳統(tǒng)的頂照式太陽(yáng)光模擬器變得極為尷尬：
光路遮擋與復(fù)雜化：若強(qiáng)行使用頂照光源，光線必須穿過(guò)電解液上方空間、電極引線、氣泡等，造成嚴(yán)重的光強(qiáng)損失、不均勻性以及難以預(yù)測(cè)的散射。研究人員常常被迫采用反射鏡系統(tǒng)來(lái)改變光路，試圖實(shí)現(xiàn)側(cè)面照射，但這不僅增加了光程，引入額外的光學(xué)損耗和潛在的光譜失真，更使得光斑定位、均勻性校準(zhǔn)變得異常困難和不可靠。
空間限制與操作不便：頂部光源往往占據(jù)了反應(yīng)池上方的寶貴空間，給電極連接、電解液添加/更換、氣體收集管路布置帶來(lái)極大不便。
==>核心需求：原生支持高質(zhì)量側(cè)向（水平）光束輸出的太陽(yáng)光模擬器。這種設(shè)計(jì)能直接、無(wú)遮擋地照射垂直放置的樣品有效區(qū)域，最大限度地簡(jiǎn)化光路，確保光能的有效利用和測(cè)試幾何的標(biāo)準(zhǔn)化。
水分解反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程對(duì)光照條件的瞬時(shí)變化異常敏感。光強(qiáng)的任何微小波動(dòng)都可能直接體現(xiàn)在光電流或產(chǎn)氫速率的讀數(shù)上，尤其是在進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試（例如數(shù)小時(shí)甚至數(shù)百小時(shí)的計(jì)時(shí)電流/電位法，Chronoamperometry/Chronopotentiometry）來(lái)評(píng)估器件壽命與衰減機(jī)制時(shí)。
光譜匹配度：為何追求A+級(jí)別，尤其是光譜匹配度？因?yàn)樵S多新型光電材料，包括鈣鈦礦以及一些PEC光吸收材料，其光電響應(yīng)對(duì)特定波長(zhǎng)（尤其是近紫外和近紅外區(qū)域的吸收邊緣）非常敏感。即使是符合Class A標(biāo)準(zhǔn)的模擬器，其在某些波段高達(dá)±25%的光譜偏差也可能導(dǎo)致對(duì)這些材料的Jsc和效率評(píng)估產(chǎn)生不可忽略的誤差。例如，研究表明，使用等級(jí)A光譜模擬器測(cè)試鈣鈦礦電池，其Jsc(SS)與Jsc(EQE)的差異可達(dá)2%以上，而使用A+級(jí)光譜模擬器則可將差異降至0.1%左右。在追求效率極限的競(jìng)賽中，百分之零點(diǎn)幾的效率差異可能就意味著一項(xiàng)世界紀(jì)錄的誕生。因此，采用光譜保真度更高的A+級(jí)太陽(yáng)光模擬器對(duì)于獲取更精準(zhǔn)、更可靠的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。
Enlitech SS-X系列在光譜質(zhì)量上符合IEC 60904-9:2020標(biāo)準(zhǔn)的要求，其輸出光譜與標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM1.5G的匹配度達(dá)等級(jí)A甚至A+級(jí)，涵蓋從紫外(UV)到近紅外的關(guān)鍵波段(300~1800nm)，滿足各種太陽(yáng)能材料對(duì)光的需求。
時(shí)間穩(wěn)定性(Temporal Instability)：IEC60904-9 Ed.3標(biāo)準(zhǔn)中的A+級(jí)別（通常要求短期<0.5%,長(zhǎng)期<1%）對(duì)于水制氫研究而言是很低的要求而非理想目標(biāo)。任何超出此范圍的波動(dòng)都可能掩蓋真實(shí)的器件衰減趨勢(shì)，或被誤判為性能波動(dòng)。尤其在研究緩慢的光降解或催化劑失活過(guò)程時(shí)，光源自身的波動(dòng)是不可接受的噪音來(lái)源。
空間均勻性(Spatial Non-uniformity)：同樣需要達(dá)到等級(jí)A（通常要求<2%的不均勻度）。對(duì)于面積較大的光電極或需要進(jìn)行局部性能分析（如掃描光電流成像）的研究，光斑內(nèi)任何顯著的強(qiáng)度差異都會(huì)導(dǎo)致電流密度的計(jì)算偏差，誤導(dǎo)對(duì)材料均一性或器件性能瓶頸的判斷。
==>核心需求：具備高精準(zhǔn)度（至少光譜匹配度與光強(qiáng)穩(wěn)定度達(dá)A+級(jí)別）的光源，尤其是時(shí)間穩(wěn)定性必須高度可靠，以支撐長(zhǎng)時(shí)間、高精度的穩(wěn)定性評(píng)估和動(dòng)力學(xué)研究。
研究光電流密度(Jph)或產(chǎn)氫速率隨入射光強(qiáng)(Pin)的變化關(guān)系，是揭示器件內(nèi)部復(fù)合機(jī)制（如陷阱輔助復(fù)合、Auger復(fù)合）、電荷傳輸限制以及反應(yīng)動(dòng)力學(xué)（如表面態(tài)、物質(zhì)傳輸）的關(guān)鍵手段。這要求太陽(yáng)光模擬器能夠：
寬范圍、高精度調(diào)光：通常需要覆蓋至少0.1sun到1.0sun（甚至更高，如1.2suns用于模擬聚光條件或加速老化測(cè)試）的范圍，且調(diào)節(jié)步長(zhǎng)精細(xì)（如達(dá)到0.1%級(jí)別）。
光譜不變性：最關(guān)鍵的是，在整個(gè)光強(qiáng)調(diào)節(jié)過(guò)程中，光源的光譜分布必須保持高度穩(wěn)定（即符合AM1.5G光譜的要求），否則光強(qiáng)變化帶來(lái)的性能改變會(huì)與光譜變化引起的效應(yīng)耦合在一起，無(wú)法分離變量，得出錯(cuò)誤結(jié)論。
==>核心需求：能在寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)、高精度、且光譜分布保持恒定的光強(qiáng)調(diào)控能力。
| 參數(shù)(Parameter) | Class A+要求 | Class A要求 |
|---|---|---|
| 光譜匹配度(Spectral Match)(300-1200nm,6個(gè)區(qū)間) | 每個(gè)區(qū)間偏差在0.875-1.125(±12.5%)之間 | 每個(gè)區(qū)間偏差在0.75-1.25(±25%)之間 |
| 空間均勻性(Spatial Non-Uniformity) | ≤1%(A+)或≤2%(A) | ≤2% |
| 時(shí)間不穩(wěn)定性(Temporal Instability)(短期) | ≤0.25%(A+)或≤0.5%(A) | ≤0.5% |
在深刻理解上述水制氫研究特別且嚴(yán)苛的光源需求后，光焱科技(Enlitech)傾力打造的SS-X系列太陽(yáng)光模擬器，正是為了解決這些核心痛點(diǎn)而生。它不僅僅是一個(gè)光源，更是針對(duì)前沿研究需求的精密儀器：
原生的四向出光靈活性：針對(duì)這一痛點(diǎn)，光焱科技（Enlitech）的SS-X系列太陽(yáng)光模擬器提供了一個(gè)理想的解決方案。該系列模擬器不僅在核心性能上達(dá)到了IEC60904-9:2020標(biāo)準(zhǔn)的A+級(jí)光譜匹配度、等級(jí)A空間均勻度和A+級(jí)時(shí)間穩(wěn)定性，更具備創(chuàng)新的四向出光功能。除了標(biāo)準(zhǔn)的向下出光，還可以選擇向上出光（便于整合手套箱）以及左側(cè)或右側(cè)水平出光，適配垂直樣品的水分解實(shí)驗(yàn)需求。光焱科技甚至推出了針對(duì)水分解量測(cè)的特定選配方案，進(jìn)一步優(yōu)化了其在該領(lǐng)域的適用性。此外，其創(chuàng)新的SS-IRIS技術(shù)，可以在不改變光譜的前提下，實(shí)現(xiàn)光強(qiáng)從0.01sun到最高1.2sun（根據(jù)用戶需求配置，部分型號(hào)可達(dá)更高強(qiáng)度）的精確、自動(dòng)化連續(xù)調(diào)控，這對(duì)于研究光強(qiáng)依賴性效應(yīng)以及模擬不同光照條件下的器件性能非常有價(jià)值。其良好的手套箱整合能力也滿足了對(duì)空氣敏感材料的研究需求。
優(yōu)秀的性能評(píng)級(jí)、高度光譜匹配：SS-X系列全面符合并超越IEC 60904-9:2020 ED3最新標(biāo)準(zhǔn)，其光譜匹配度、時(shí)間穩(wěn)定性關(guān)鍵指標(biāo)均達(dá)到最高A+級(jí)別。特別是其優(yōu)秀的時(shí)間穩(wěn)定性，為長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)和精密動(dòng)力學(xué)研究提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
精準(zhǔn)穩(wěn)定的光譜不變調(diào)光：SS-X系列內(nèi)置了先進(jìn)的控制系統(tǒng)，可在不改變AM1.5G光譜特性的前提下，實(shí)現(xiàn)從低光強(qiáng)到高達(dá)1.2suns(120mW/cm2)的全自動(dòng)、高分辨率（<0.1%步進(jìn)）連續(xù)光強(qiáng)調(diào)變。這為深入研究光強(qiáng)依賴性提供了強(qiáng)有力的工具。
水制氫專屬優(yōu)化與集成：我們還提供針對(duì)水制氫研究的特定選配方案，進(jìn)一步優(yōu)化水平光束質(zhì)量，并確保與常見的反應(yīng)池尺寸和光學(xué)窗口兼容。同時(shí)，SS-X可方便地與手套箱等環(huán)境控制設(shè)備集成，滿足對(duì)空氣敏感材料（如鈣鈦礦光電極甚至有機(jī)材料）的測(cè)試需求。
SS-X系列模擬器以其創(chuàng)新的多向出光設(shè)計(jì)和頂級(jí)的光源性能，直擊了水制氫研究在標(biāo)準(zhǔn)光源配置上的核心難題，為追求高質(zhì)量、高重復(fù)性數(shù)據(jù)的研究者提供了一個(gè)真正得心應(yīng)手的解決方案。
在評(píng)估水制氫系統(tǒng)性能時(shí)，除了宏觀的IV特性和產(chǎn)氫量，深入理解光生載流子在器件內(nèi)部的產(chǎn)生、分離、傳輸及注入催化層的全過(guò)程，離不開量子效率(QE)或更準(zhǔn)確地說(shuō)是光電流效率譜(Incident Photon-to-Current Efficiency, IPCE)的測(cè)量。
量子效率（Quantum Efficiency, QE）通常是一項(xiàng)重要指標(biāo)，就如同太陽(yáng)能電池會(huì)測(cè)量在不同波長(zhǎng)光照下產(chǎn)生電流的外部量子效率(EQE)，水制氫研究者也希望了解其光電化學(xué)電極或光催化劑對(duì)各波長(zhǎng)光子的利用效率。
與IV量測(cè)類似，標(biāo)準(zhǔn)的QE/IPCE量測(cè)系統(tǒng)通常也是采用垂直向下的光路設(shè)計(jì)。要測(cè)量垂直浸泡在電解液中的樣品的量子效率，同樣需要將來(lái)自單色儀的單色光束轉(zhuǎn)換為精準(zhǔn)的水平方向輸出。這不僅要求光束具有良好的準(zhǔn)直性，能夠穿過(guò)反應(yīng)池窗口和電解液精確照射到樣品的活性區(qū)域，還需要配套的樣品夾具能夠?qū)悠范ㄎ辉诠饴飞?，并且參考光電探測(cè)器也能夠在同一水平面上準(zhǔn)確接收光束以進(jìn)行光強(qiáng)校準(zhǔn)。整個(gè)光路的設(shè)計(jì)、對(duì)準(zhǔn)和校準(zhǔn)都比標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置復(fù)雜得多。市面上普通的QE系統(tǒng)顯然無(wú)法滿足這種特殊的側(cè)向照射需求。
然而，對(duì)于水制氫裝置進(jìn)行QE量測(cè)，實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池測(cè)試有所不同，因而面臨幾項(xiàng)艱難挑戰(zhàn)：
裝置結(jié)構(gòu)與環(huán)境：光電化學(xué)水分解通常涉及沉浸在電解液中的光電極。與干式的太陽(yáng)電池不同，這種裝置需要在液相中運(yùn)作，光必須穿過(guò)透明容器（如石英玻璃窗）射入液體才能抵達(dá)光電極表面。液體介質(zhì)的存在會(huì)引入光路中的折射、反射與額外吸收，傳統(tǒng)QE量測(cè)系統(tǒng)若未針對(duì)這種情況進(jìn)行校正，直接套用可能導(dǎo)致測(cè)得的光強(qiáng)或效率不準(zhǔn)確。此外，光電極常是垂直放置、正對(duì)光源。如果使用一般為平面樣品設(shè)計(jì)的QE測(cè)試儀（通常光從上往下照射水平放置的樣品），就無(wú)法正確照射到垂直的光電極，需要另行調(diào)整光路。
光源與偵測(cè)靈敏度：QE量測(cè)通常使用單色光掃描不同波長(zhǎng)，這意味著在特定波長(zhǎng)時(shí)光源強(qiáng)度可能很弱，產(chǎn)生的光電流也非常微小。對(duì)于效率不高的水制氫材料，在某些波長(zhǎng)下電流甚至淺于噪聲水平。傳統(tǒng)QE設(shè)備大多針對(duì)高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池優(yōu)化，直接用于低電流的光電化學(xué)電池時(shí)，可能出現(xiàn)訊號(hào)偵測(cè)不足或噪聲過(guò)高的問(wèn)題，需要額外的鎖相放大器等技術(shù)支持。此外，如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)膮⒖夹?zhǔn)，例如先在空氣中以標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池測(cè)定光強(qiáng)，再換到水溶液環(huán)境時(shí)，由于介質(zhì)差異導(dǎo)致的光通量改變可能造成結(jié)果誤差。
光焱科技的QE-R量子效率量測(cè)系統(tǒng)，一款以高精度、高重復(fù)性著稱的儀器，特別推出了針對(duì)水分解研究的選配方案(QE-R水制氫量測(cè)選配方案)，為光電化學(xué)與光催化實(shí)驗(yàn)量身打造精準(zhǔn)的光譜響應(yīng)測(cè)試工具。QE-R方案的一大特色在于該方案的核心是對(duì)光路進(jìn)行了精密的重新設(shè)計(jì)與改造(精準(zhǔn)的變更光路設(shè)計(jì))，使其能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定、準(zhǔn)確的水平側(cè)向單色光輸出(水平側(cè)向出光)：相較傳統(tǒng)QE系統(tǒng)自上而下的照射方式，QE-R能將單色光水平投射，方便直接照射位于電解池側(cè)面的光電極或反應(yīng)區(qū)域。這種設(shè)計(jì)適配典型水制氫實(shí)驗(yàn)配置（例如垂直放置的光電極），確保每一個(gè)波長(zhǎng)的光都能有效地打在作用表面，而無(wú)需為遷就光路來(lái)改變樣品擺放方式。配合專門設(shè)計(jì)的樣品夾具和校準(zhǔn)流程，研究人員可以在保持QE-R系統(tǒng)固有高精準(zhǔn)度(保證其精準(zhǔn)性)的前提下，方便地對(duì)垂直浸沒(méi)在電解液中的光電極樣品進(jìn)行EQE/IPCE光譜量測(cè)。這直接攻克了PEC研究中QE量測(cè)的幾何限制難題。
為了保證量測(cè)精準(zhǔn)，QE-R方案在光源校準(zhǔn)和偵測(cè)上也下足工夫，系統(tǒng)配備高穩(wěn)定度的全光譜光源和高靈敏度檢測(cè)器，搭配鎖相放大技術(shù)，可以解析出極微弱的光電流訊號(hào)。
考慮到光在水溶液與石英介質(zhì)中的傳播特性差異，QE-R在校正流程中加入了專門的參考校準(zhǔn)步驟，確保不同波長(zhǎng)的實(shí)際入射光功率都得到精確計(jì)算。也就是說(shuō)，研究者在使用QE-R時(shí)，可以信賴其測(cè)得的每一組量子效率數(shù)據(jù)，無(wú)需擔(dān)心因?qū)嶒?yàn)裝置幾何或介質(zhì)差異而產(chǎn)生隱藏誤差。
QE-R方案還充分考慮了實(shí)驗(yàn)便利性。它的設(shè)計(jì)可無(wú)縫銜接前述SS-X系列太陽(yáng)光模擬器和夾持系統(tǒng)，使研究人員能在同一套裝置上完成光譜響應(yīng)測(cè)試與長(zhǎng)時(shí)間光照實(shí)驗(yàn)，而無(wú)需反復(fù)更換設(shè)備。
光有優(yōu)秀的光源還不夠，要獲得可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，樣品的擺放與固定同樣關(guān)鍵。將光電極樣品穩(wěn)固地安裝在PEC測(cè)試池中，確保良好的電接觸，精確限定受照面積，同時(shí)防止電解液泄漏或污染，是獲得準(zhǔn)確實(shí)驗(yàn)結(jié)果的基礎(chǔ)，但操作起來(lái)卻頗具挑戰(zhàn)，在水制氫實(shí)驗(yàn)中，研究者常需要將光電極固定在電解槽中適當(dāng)?shù)奈恢?，例如讓電極正對(duì)光源且浸沒(méi)在電解液的指定深度。如果夾持不穩(wěn)固，實(shí)驗(yàn)過(guò)程中電極位置稍有偏移，就可能改變受光面積或光路距離，影響量測(cè)結(jié)果。此外，不同實(shí)驗(yàn)裝置的尺寸和形狀差異很大，從小型三電極電化學(xué)池到較大的兩電極光解水裝置，都需要對(duì)應(yīng)的固定方式。
標(biāo)準(zhǔn)的PV樣品夾具不適用于液相環(huán)境。不恰當(dāng)?shù)难b夾可能導(dǎo)致接觸電阻過(guò)大、受照面積定義不清、電解液泄漏、甚至樣品損壞，嚴(yán)重影響實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
因此，設(shè)計(jì)精良、使用方便的專用測(cè)試夾治具對(duì)于PEC實(shí)驗(yàn)室關(guān)鍵因素。它需要能夠牢固固定不同尺寸和形狀的樣品，提供可靠的電接觸，精確定義光照窗口，并與反應(yīng)池良好密封，同時(shí)還要耐受腐蝕性電解液。
光焱科技深刻理解研究人員在此方面遇到的困難，除了提供高性能的儀器，還可為水分解研究提供專屬的夾治具解決方案更重要的是，光焱科技能夠配合客戶的具體需求進(jìn)行局部客制化微調(diào)，以合理的價(jià)格量身打造適合研究者特定反應(yīng)池設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)流程的樣品臺(tái)和夾具，從而顯著提升實(shí)驗(yàn)的精度、效率和便捷性。
針對(duì)水制氫實(shí)驗(yàn)中各式各樣的電池與反應(yīng)器，Enlitech光焱科技提供了專屬的夾具與樣品載臺(tái)配套，確保樣品在光照過(guò)程中維持最佳位置和狀態(tài)。
光焱科技Enlitech深知這些需求，因此開發(fā)了模塊化的夾具系統(tǒng)，提供的水制氫專用夾治具方案，不僅提供標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)，其靈活的局部客制化服務(wù)，更能與搭載了水制氫模塊的SS-X太陽(yáng)光模擬器以及QE-R量子效率雙重配合，確保從光源到樣品的每一個(gè)環(huán)節(jié)都達(dá)到高標(biāo)準(zhǔn)。
以SS-X四向出光模擬器的應(yīng)用為例，其專用夾具能將樣品精確地置于側(cè)光光源匯聚的中央位置，保證每次實(shí)驗(yàn)中樣品受光條件一致。不僅夾持牢固，夾具還預(yù)留了電極接線和電解液容器的空間，方便接入測(cè)試線路和氣體收集裝置。而對(duì)于需要特殊角度照射或特定傾斜擺放的樣品，Enlitech也提供客制化的微調(diào)機(jī)構(gòu)，研究人員可微調(diào)樣品的角度、高度，獲得理想的光照幾何條件。同時(shí)，所有夾具材料均選用抗腐蝕材質(zhì)，適合長(zhǎng)時(shí)間接觸電解液，避免雜質(zhì)污染實(shí)驗(yàn)。
透過(guò)這些貼心設(shè)計(jì)，Enlitech光焱科技的樣品夾治具有效減少了人工調(diào)整與臨時(shí)固定帶來(lái)的誤差風(fēng)險(xiǎn)。每次實(shí)驗(yàn)都能在高度可重復(fù)的條件下進(jìn)行，提升數(shù)據(jù)的一致性。不論是進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間耐久性測(cè)試還是精準(zhǔn)的量子效率掃描，有了穩(wěn)定的夾持系統(tǒng)，研究者不需顧慮，且相信裝置的位置與狀態(tài)不會(huì)成為變量，把全部精力投入科學(xué)問(wèn)題本身。
這些針對(duì)PEC水分解特殊需求的專用設(shè)備（如具備側(cè)向出光的A+級(jí)太陽(yáng)光模擬器、可水平出光的QE系統(tǒng)、以及客制化的夾治具）的出現(xiàn)，標(biāo)志著該研究領(lǐng)域已經(jīng)從早期的基礎(chǔ)材料探索階段，發(fā)展到了對(duì)實(shí)驗(yàn)精度和設(shè)備專業(yè)化程度要求更高的階段。為了深入理解復(fù)雜的反應(yīng)機(jī)制（如界面動(dòng)力學(xué)、降解過(guò)程）、追求更高的效率和穩(wěn)定性，研究人員必須最大限度地減少實(shí)驗(yàn)誤差和人為干擾，這就要求使用專門優(yōu)化設(shè)計(jì)的、高質(zhì)量的量測(cè)基礎(chǔ)設(shè)施。此外，許多前沿的PEC材料（如鈣鈦礦或特定的催化劑/界面修飾層）對(duì)空氣、濕氣等環(huán)境因素非常敏感。因此，將太陽(yáng)光模擬器、QE系統(tǒng)等精密量測(cè)儀器與手套箱等可控氣氛環(huán)境進(jìn)行無(wú)縫整合，已成為進(jìn)行材料研究的必要條件，而非僅僅是特殊需求。PEC研究艱難而特別的實(shí)驗(yàn)環(huán)境——樣品浸沒(méi)于液體中、常需垂直放置、反應(yīng)伴隨氣體產(chǎn)生——對(duì)傳統(tǒng)的測(cè)試儀器提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，尤其是在高保真度光源的側(cè)向照射和浸沒(méi)樣品的量子效率測(cè)量方面。這些實(shí)驗(yàn)難點(diǎn)的存在，使得投資于專門為PEC研究設(shè)計(jì)和優(yōu)化的高性能表征設(shè)備，不再是一種奢侈，而是確保數(shù)據(jù)質(zhì)量、提高研究效率、加速技術(shù)突破的必要保障。
同行們，太陽(yáng)能水制氫研究的深入發(fā)展，迫切需要更專業(yè)、更適配的表征工具。光焱科技(Enlitech)洞察到了這一需求，沒(méi)有選擇開發(fā)全新的、可能功能單一的設(shè)備，而是采取了更具智慧和前瞻性的平臺(tái)化+模塊化策略。
光焱科技（Enlitech）作為專注于光電量測(cè)解決方案的提供者，始終致力于與科研界緊密合作，深刻理解前沿研究所面臨的挑戰(zhàn)與需求。我們提供的SS-X系列A+級(jí)太陽(yáng)光模擬器，憑借其優(yōu)秀的光譜保真度、穩(wěn)定性以及創(chuàng)新的四向出光（含側(cè)向）能力，為PEC研究提供了理想的光源保障。而QE-R量子效率系統(tǒng)的水分解測(cè)量選配方案，則通過(guò)創(chuàng)新的水平光路設(shè)計(jì)，精準(zhǔn)解決了垂直浸沒(méi)樣品的QE測(cè)試難題。結(jié)合可客制化的專用夾治具，光焱科技旨在為全球太陽(yáng)能水分解研究人員提供一整套量身定制的、高精度、高效率的量測(cè)解決方案，助力科學(xué)家們攻克難關(guān)，這種策略的核心是賦能(Empowerment)。我們相信，通過(guò)為平臺(tái)賦予精準(zhǔn)解決特定領(lǐng)域挑戰(zhàn)的能力，能夠最大限度地提升您的研究效率，保障您的數(shù)據(jù)質(zhì)量，加速您在太陽(yáng)能水制氫領(lǐng)域的探索與突破。
如果您正在為水制氫光電表征的難題而困擾，或者希望了解如何利用SS-X或QE-R平臺(tái)的模塊化升級(jí)來(lái)提升您的研究能力，我們非常期待與您進(jìn)行更深入的技術(shù)探討。讓我們攜手，用更智能、更精準(zhǔn)的工具，共同迎接綠色氫能時(shí)代的到來(lái)！
微信掃一掃
